Samsung trình làng bộ nhớ RAM 4GB cho smartphone và máy tính bảng

Hãng công nghệ Hàn Quốc cho biết đã phát triển thành công chip nhớ RAM di động 8 Gigabit LPDDR4 (Low Power Double Data Rate thế hệ thứ 4). Các mô-đun LPDDR4 mới sẽ kết hợp 4 chip nhớ 1GB vào một khuôn duy nhất, cho phép máy tính bảng và smartphone có thể sở hữu bộ nhớ RAM lên đến 4GB.

Ngày nay nhiều mẫu smartphone được trang bị bộ nhớ RAM  2GB, trong đó chiếc smartphone Galaxy Note 3 của Samsung được trang bị bộ nhớ RAM lên đến 3GB. Với dung lượng bộ nhớ RAM được tăng lên sẽ góp phần tăng cường hiệu suất của thiết bị, các ứng dụng hoạt động ổn định hơn và nhiều tính năng cao cấp sẽ được xuất hiện trên smartphone như cho phép trang bị độ phân giải màn hình cao hơn…   Samsung mở đầu “cuộc đua cấu hình” trong năm 2014 với bộ nhớ RAM thế hệ mới

Samsung cho biết bộ nhớ RAM LPDDR4 thế hệ mới cung cấp hiệu suất nhanh hơn 50% so với thế hệ bộ nhớ RAM LPDDR3 đang sử dụng hiện tại, trong khi tiêu thụ năng lượng thấp hơn 40% ở mức 1,1 volt.

Không chỉ có dung lượng lớn hơn, Samsung sử dụng một tiêu chuẩn kỹ thuật mới cho bộ nhớ RAM LPDDR4 của mình được gọi là LVSTL (Low Voltage Swing Terminated Logic) cho phép tốc độ truyền dữ liệu trên mỗi chân lên đến 3.200 Mbps (Megabit/giây), gấp đôi so với tốc độ truyền dữ liệu của các loại bộ nhớ RAM di động hiện có trên thị trường.

“Thế hệ bộ nhớ LPDDR4 mới sẽ đóng góp đáng kể vào sự tăng trưởng nhanh hơn của thị trường bộ nhớ RAM di động toàn cầu”, Young-Hyun Jun, Phó chủ tịch điều hành mảng Bộ nhớ và Marketing của Samsung cho biết. “Chúng tôi sẽ tiếp tục giới thiệu những bộ nhớ RAM di động tiên tiến khác để giúp các hãng sản xuất trên toàn cầu có thể tạo ra những thiết bị di động hoàn hảo và thuận tiện cho người dùng”.

Bộ nhớ RAM mới của Samsung dự kiến sẽ được xuất hiện vào năm sau trên những mẫu smartphone màn hình lớn và máy tính bảng. Samsung cho biết nhiều sản phẩm trong đó sẽ được trang bị màn hình với độ phân giải UltraHD (4K, gấp 4 lần độ phân giải HD). Dù Samsung không công bố chi tiết sản phẩm nào sẽ được trang bị bộ nhớ RAM mới nhưng nhiều khả năng đó sẽ là Galaxy S5 và Galaxy Note 4, 2 sản phẩm chiến lược quan trọng của Samsung trong năm 2014.

Bộ nhớ RAM dung lượng lớn được dự đoán là một trong những xu thế trên thị trường di động vào năm sau, bên cạnh các xu thế khác như vi xử lý đa nhân tốc độ cao, màn hình độ phân giải cao và tốc độ mạng 4G LTE nhanh hơn…

Mới đây Qualcomm cũng vừa ra mắt thế hệ vi xử lý Snapdragon 805 mới nhất với 4 lõi có xung nhịp lên đến 2.5GHz và hỗ trợ thiết bị di động màn hình độ phân giải 2K. Sản phẩm đầu tiên sử dụng thế hệ vi xử lý này dự kiến ra mắt vào nửa đầu năm 2014.

Samsung cũng dự kiến sẽ trình làng thế hệ vi xử lý lõi 8 Exynos mới tại triển lãm CES 2014 diễn ra từ ngày 7-1 tới đây, mà cho phép hoạt động đồng thời cả 8 lõi, thay vì chỉ sử dụng lần lượt và tối đa 4 lõi như thế hệ vi xử lý Exynos 5 Octa hiện nay của Samsung.

Theo Dân trí

• Hai Giáo sư người Việt được bầu làm Viện sỹ Viện Hàn lâm Khoa học Thế giới (26/11)
• Tập đoàn Ericsson muốn hỗ trợ Việt Nam đẩy nhanh chuyển đổi số quốc gia (26/11)
• Học sinh Trường Trung Tiểu học Việt Anh đạt giải cao tại Cuộc thi lập trình Drone và Robot Quốc tế năm 2024 (25/11)
• Cuộc thi “Sáng tạo Robotics và Trí tuệ nhân tạo”: Khơi nguồn sáng tạo cho thế hệ trẻ (25/11)
• Trao giải Chung kết Cuộc thi “Sáng tạo Robotics và Trí tuệ nhân tạo” tỉnh Bình Dương lần thứ 2 (24/11)
• Thúc đẩy hợp tác về khoa học công nghệ Việt Nam-Canada (23/11)
• Khai mạc Cuộc thi “Sáng tạo Robotics và Trí tuệ nhân tạo tỉnh Bình Dương” lần thứ 2 (23/11)
• Sẽ có bản đồ 37 nghìn tỷ tế bào trong cơ thể người (22/11)