Mặc dù vậy, người dùng cũng đừng quá vui mừng bởi sản phẩm sử dụng công nghệ 7 nm dự kiến được IBM tiến hành thương mại hóa sớm nhất vào năm 2017.
Theo IBM, đột phá quan trọng trong thiết kế bóng bán dẫn 7 nm của công ty chính là họ đã sử dụng vật liệu mới có tên silic-germani (SiGe), khác hơn so với silicon truyền thống. Kết hợp với đó là phương pháp khắc bằng tia cực tím để tạo ra các tấm wafer xử lý trong tương lai.
Bước đột phá của IBM là rất quan trọng, bởi trước đó Intel đang gặp những khó khăn trong hoạt động sản xuất kiến trúc Core mới sử dụng bóng bán dẫn 10 nm. Intel thường đi đầu thế giới trong công nghệ sản xuất chip, nhưng công nghệ mới của IBM đã phần nào khiến vị trí của Intel bị thay đổi, ít nhất là đến thời điểm hiện tại.
Với phương thức sản xuất mới, IBM thông báo rằng mặc dù kích thước bóng bán dẫn chỉ giảm 3 nm so với công nghệ 10 nm, nhưng diện tích bề mặt của chip thực sự đã giảm gần 50%. IBM tin rằng, điều này có thể giúp nhiệt độ giảm đi và hiệu suất làm việc tăng thêm 50% so với công nghệ 10 nm.
Con số trên sẽ càng ấn tượng hơn khi so sánh với chip 14 nm đang được sử dụng ngày nay, bởi chip 7 nm có thể đóng gói đến 20 tỷ bóng bán dẫn (transistor), trong khi chip 14 nm chỉ có thể đóng gói 1,9 tỷ bóng bán dẫn.
Theo TNO